الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Effect of Ag incorporation on electrical and optical properties of Se-S chalcogenide thin films
Effect of Ag incorporation on electrical and optical properties of Se-S chalcogenide thin films
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
The dc electrical conductivity of as evaporated thin films of Se75S25-xAgx, grown by vacuum evaporation technique is measured as a function of temperature (294-383 K). It is observed that the dc conductivity decreases at all the temperatures with the increase of silver content in the binary system. The experimental data suggests that the conduction is due to thermally assisted tunneling of the carriers in the localized states near the band edges. The extracted value of activation energy is found to increase on incorporation of silver contents in the Se-S system. Compositional dependence of the optical properties of as deposited Se75S25-xAgx thin films of thickness 300 nm have also been studied in the spectral range from 400 to 1000 nm. It has been found that the optical band gap increases on incorporation of silver contents in Se-S system. The values of absorption coefficient (α) and extinction coefficient (k) increases with increasing photon energy and silver concentration. The results are interpreted in terms of the change in concentration of localized states due to the shift in Fermi level. © 2009 Elsevier B.V. All rights reserved.
ردمد
:
0921-4526
اسم الدورية
:
Physica B: Condensed Matter
المجلد
:
404
العدد
:
8
سنة النشر
:
2009 هـ
2009 م
عدد الصفحات
:
5
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Tuesday, October 13, 2009
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
سلمان أحمد خان
Salman Ahmad Khan
باحث
دكتوراه
sahmad_phd@yahoo.co.in
فرج سعيد مرشود الحازمى
Al-Hazmi, F.S
باحث
دكتوراه
Falhazmi@kau.edu.sa
على محمد على السنوسي
Ali Mohammed Alsanoosi
باحث
دكتوراه
asanoosi@kau.edu.sa
عادل صالح وعظ الدين فيده
Adel Saleh Faidah
باحث
دكتوراه
afaidah@kau.edu.sa
سعود جميل مصطفى يغمور
Yaghmour, S.J
باحث
دكتوراه
syaghmour@kau.edu.sa
احمد عبدالله سالم آل موسى الغامدي
Al-Ghamdi, A.A
باحث
دكتوراه
AGAMDI@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
23406.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث